Poštovani korisnici, trenutno imamo problema sa ispravnim funkcioniranjem dijela web stranica. Molimo vas za razumijevanje i strpljenje, Vaš Tevetron

Menu
0
Ukupno: 0,00 €
Grupe artikala

RJP30H1DPD-RENESAS

TR-SMD-N-IGBT 360V 30A 240W (TO263/D2PAK

Šifra:114009

VPC Cijena: 5,78 €

MPC Cijena: 7,23 €

4 - ima na lageru
Dodaj u košaricu Dodano u košaricu!
PDF

RJP30H1DPD-RENESAS, TR-SMD-N-IGBT 360V 30A 240W (TO263/D2PAK, TRANZISTORI, IGBT

Features
Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series)
High speed switching: tr = 80 ns typ., tf = 150 ns typ.
Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat) = 1.5 V typ.
Low leak current: ICES = 1 µA max. 

Mogućnost narudžbe zamjenskog proizvoda